Micron Technology, Inc.(納斯達克股票代碼:MU)今日宣布推出公司首款針對移動設備進行了優(yōu)化的3D NAND存儲器技術(shù),和其首款基于通用閃存(UFS)2.1標準的產(chǎn)品,。Micron最初的移動3D NAND 32GB解決方案專門面向中高端智能手機細分市場,,此類市場占據(jù)全球智能手機銷量的50%左右[1]。隨著移動設備超越個人電腦成為消費者的主要計算設備,,用戶行為顯著影響設備的移動存儲器和存儲要求,。Micron的移動3D NAND解決了這些問題,實現(xiàn)了無與倫比的用戶體驗,,這包括無縫的高清視頻流,、更高帶寬的游戲體驗、更快的啟動速度,、卓越的攝像頭性能和文件加載,。
“隨著我們針對移動細分市場推出3D NAND和UFS產(chǎn)品,Micron將繼續(xù)推進NAND技術(shù),,”Micron移動事業(yè)部副總裁Mike Rayfield表示,。“3D NAND性能更優(yōu)異,、容量更大,、可靠性更高,因此能幫助我們的客戶滿足移動存儲領域日益增長的需求,,同時實現(xiàn)更加卓越的最終用戶體驗,。”
移動視頻和多媒體消費日益增長,,并且由于5G無線網(wǎng)絡導致存儲需求出現(xiàn)預期增長,,為滿足不斷增長的硬件需求,Micron 3D NAND技術(shù)非常精準地垂直堆疊多層數(shù)據(jù)存儲單元,從而打造出容量比上一代平面NAND技術(shù)高三倍的存儲解決方案,。由于是以垂直堆疊單元的方式來獲得容量,,因此Micron能夠?qū)⒏啻鎯卧庋b到面積要小得多的芯片上,于是,,業(yè)界最小的3D NAND存儲器芯片誕生了,其尺寸僅60.217mm2,。尺寸更小的芯片能夠?qū)崿F(xiàn)微型存儲器封裝空間,,因而可以為更大的移動電池騰出空間,或?qū)崿F(xiàn)尺寸更小的元件,。
“3D NAND技術(shù)對于智能手機以及其他移動設備的持續(xù)發(fā)展至關(guān)重要,,”Forward Insights的創(chuàng)始人兼首席分析師Greg Wong說道?!半S著5G的到來,,以及移動對人們數(shù)字生活的影響不斷增大,智能手機制造商需要具備最先進的技術(shù)來存儲和管理日益增多的數(shù)據(jù),。Micron移動3D NAND為高清視頻,、游戲和攝影提供了更加無縫的用戶體驗,非常適合于滿足市場不斷發(fā)展的數(shù)據(jù)存儲需求,?!?/p>
3D NAND:助力日新月異的移動版圖
Micron首款移動3D NAND具有多種技術(shù)競爭優(yōu)勢。其新功能包括:
業(yè)界首款構(gòu)建于浮柵技術(shù)(通過多年的量產(chǎn)平面閃存制造,,使普遍使用的設計取得了全面改進)之上的移動產(chǎn)品
Micron首款基于UFS 2.1標準的元件,,為移動市場實現(xiàn)了業(yè)界最佳的順序讀取性能
基于3D NAND的多芯片封裝(MCP)還包括低功率LPDDR4X,能效比標準LPDDR4存儲器高20%
業(yè)界最小的3D NAND存儲器芯片,,尺寸僅 60.217mm2,,是在超小型元件中封裝微型存儲器的理想之選;Micron的3D NAND芯片尺寸比相同容量平面NAND芯片的尺寸小30%。
目前移動客戶和合作伙伴正在對Micron移動3D NAND解決方案進行抽樣,,2016年末將廣泛使用,。
[1]來源:Micron內(nèi)部預測
其他資源:
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移動3D NAND數(shù)據(jù)表
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Micron Technology, Inc.是全球領先的先進半導體系統(tǒng)供應商,。Micron廣泛的高性能存儲技術(shù)產(chǎn)品組合包括 — DRAM,、NAND和NOR閃存——是固態(tài)硬盤、模塊,、多芯片封裝以及其他系統(tǒng)解決方案的基礎,。以超過35年的技術(shù)領導地位為后盾,Micron的存儲解決方案支持全球大多數(shù)創(chuàng)新計算,、消費者,、企業(yè)級存儲、網(wǎng)絡、移動,、嵌入式和汽車應用,。Micron的普通股在納斯達克上市交易,代碼是MU,。欲知有關(guān)Micron Technology, Inc.的更多信息,,敬請訪問www.micron.com.
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